Indium(III) oksida

Indium(III) oksida

Nama
Nama lain Indium trioksida, indium seskuioksida
Pengecam
No. Pendaftaran CAS	1312-43-2 Y
Imej model 3D Jmol	Imej berinteraktif
ChemSpider	133007 Y
ECHA InfoCard	100.013.813
PubChem CID	150905
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID40893857
InChI InChI=1S/2In.3O/q2*+3;3*-2 Y Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N Y InChI=1/2In.3O/q2*+3;3*-2 Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYAL
SMILES [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3]
Sifat
Formula kimia	In2O3
Jisim molar	277.64 g/mol
Rupa bentuk	Hablur hijau kekuningan
Ketumpatan	7.179 g/cm3
Takat lebur	1,910 °C (3,470 °F; 2,180 K)
Keterlarutan dalam air	Tidak larut
Luang jalur	~3 eV (300 K)
Kerentanan magnet (χ)	−56.0·10−6 cm3/mol
Struktur
Struktur kristal	Kubik, kumpulan ruang Ia3 No. 206, cI80, a = 1.0117(1) nm, Z = 16
Bahaya
Pengelasan EU	{{{value}}}
NFPA 704 (berlian api)	0 1 0
Kecuali jika dinyatakan sebaliknya, data diberikan untuk bahan-bahan dalam keadaan piawainya (pada 25 °C [77 °F], 100 kPa).
Y pengesahan (apa yang perlu: Y/N?)
Rujukan kotak info

Indium(III) oksida merujuk kepada sebatian kimia indium dengan sebatian kimia In₂O₃. Sebatian ini merupakan sebatian oksida amfoterik.

Penghasilan

Indium(III) oksida pukal boleh dihasilkan melalui pemanasan indium(III) hidroksida, nitrat, karbonat atau sulfat.

Tindak balas

Pada 700 °C, indium(III) oksida bertukar kepada indium(I) oksida, In₂O dan terurai pada 2000 °C. Sebatian ini larut dalam asid tetapi tidak dalam alkali. Pada suhu tinggi, indium(III) oksida bertindak balas dengan ammonia untuk membentuk indium nitrida.

${\ce {In2O3 + 2 NH3 -> 2 InN + 3 H2O}}$

Penggunaan

Dalam bidang elektronik, indium(III) oksida digunakan dalam semikonduktor sebagai semikonduktor jenis-n dan sebagai unsur perintang dalam litar bersepadu.